Номер детали производителя : | S4K M6G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S4K M6G(1).pdfS4K M6G(2).pdfS4K M6G(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S4K M6G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | S4K M6G(1).pdfS4K M6G(2).pdfS4K M6G(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.15 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 800 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.5 µs |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100 µA @ 800 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | S4K |
DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB
S4KC 6K INT BATT KIT 144V
DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB
S4KC 6K EXT BATT CAB 144V
DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB